16:56:54 - سه شنبه 7 ژوئن 2016
داغ کن - کلوب دات کام Balatarin اشتراک گذاری در فیس بوک تویت کردن این مطلب
“ترانزیستور اثر میدانی سیلیسیم برروی عایق”توسط مبتکران سمنانی اختراع شد
کانال تلگرام سمنان لاین

ترانزیستور اثر میدانی سیلیسیم بر روی عایق با استفاده از ایجاد چاه حفره‌ای در زیر کانال» توسط محققان دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر دانشگاه سمنان با همکاری پارک علم و فناوری این دانشگاه ثبت اختراع شد.

به گزارش سمنان لاین  داود معروفی مسئول مرکز مالکیت فکری پارک علم و فناوری دانشگاه سمنان با اعلام این خبر گفت: «ترانزیستور اثر میدانی سیلیسیم بر روی عایق با استفاده از ایجاد چاه حفره ای در زیر کانال» توسط دکتر علی اصغر اروجی عضو هیأت علمی دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر دانشگاه سمنان، زینب رمضانی دانشجوی دکتری این رشته و پارک علم و فناوری دانشگاه سمنان در اداره کل مالکیت صنعتی و ثبت اختراع به شماره 88270 به ثبت رسید.

دکتر اروجی در توضیح این اختراع اظهار کرد: در این اختراع یک ترانزیستور با استفاده از ایجاد یک چاه از جنس سیلیسیم ژرمانیوم نوع P (P-SiGe) در اکسید مدفون ارائه شده است.

این مخترع افزود: هم‌چنین با استفاده از ویژگی ترکیبی ماده‌ی سیلیسیم و سیلیسیم ژرمانیوم معایب این گونه ترانزیستورها از جمله اثر خودگرما، ولتاژ شکست پایین و اثر بدنه ی شناور بطور همزمان بهبود داده شده است.

وی تصریح کرد: این ساختار برای اولین بار است که روی ترانزیستور اثر میدانی فلز- نیمه هادی با تکنولوژی سیلیسیم بر روی عایق ارائه شده است و با توجه به مراحل ساخت ساده و مزایایی آن می تواند به عنوان جایگزین مناسب برای ساخت این گونه ترانزیستور ها در تکنولوژی سیلیسیم بر روی عایق پیشنهاد شود.

دکتر اروجی خاطر‌نشان کرد‌: از این اختراع می‌توان در کاربردهای توان بالا و انواع مدارات دیجیتال و آنالوگ مختلف استفاده کرد.

داغ کن - کلوب دات کام Balatarin اشتراک گذاری در فیس بوک تویت کردن این مطلب